不同结构多层膜中巨磁阻抗效应的研究

• 作者: 周勇 禹金强 蔡炳初 赵小林
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 多层膜 巨磁阻抗效应 研究
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 136-138
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2849字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.02.010

摘要

研究了封闭式和开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜以及Cu/FeSiB/Cu多层膜中的巨磁阻抗效应.实验结果表明:多层膜的不同结构对巨磁阻抗效应影响很大.改变外加磁场,封闭式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中阻抗变化最大,开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜次之,而Cu/FeSiB/Cu多层膜中阻抗几乎不变.三组多层膜中不同的阻抗特征可用多层膜的具体结构解释:在封闭式多层膜内,磁路形成密封结构,使泄漏到多层膜外面空间的磁通大大减少;在Cu/FeSiB/Cu多层膜中,上下两铜层在铁磁薄膜内产生的总磁场近似为零,外加磁场的改变不能引起其阻抗发生变化.对于封闭式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz到1MHz时就能够出现较大的阻抗变化比值,最大阻抗变化比值出现在3MHz.开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜阻抗特性与封闭式类似,但比值只是封闭式多层膜的1/3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周勇	上海交通大学信息存储研究中心	35	473	12.0	21.0
2	蔡炳初	上海交通大学信息存储研究中心	49	769	15.0	26.0
3	赵小林	上海交通大学信息存储研究中心	56	549	13.0	20.0
4	禹金强	上海交通大学信息存储研究中心	4	48	4.0	4.0