纳米时代的新型CMOS器件

• 作者: 卜伟海 张兴 甘学温 黄爱华
• 来源期刊: 电子产品与技术
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断提高.现在,0.1μm(100nm)以下的CMOS器件已开始从实验室走入生产线,已有文献报导研制出沟道长度18 nm的MOS晶体管.CMOS器件尺寸正在从微米范围缩小到纳米尺度,25nm的CMOS产品可能将在2010年进入批量生产.进入纳米尺寸的CMOS器件将会遇到哪些问题,如何改进器件结构来适应这些新的挑战,将是纳米时代CMOS设计的重要课题.简单的等比例缩小不能解决纳米CMOS面临的种种挑战,在这种情况下,设计的改进可能会有更大的作用.在改进常规的体硅CMOS器件结构设计的同时,发展了若干富有新意的器件结构.这些新的器件结构将有助于克服CMOS按比例缩小的限制,使CMOS技术在纳米时代继续日新月异的发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
2	甘学温	北京大学微电子学研究所	13	141	7.0	11.0
3	黄爱华	北京大学微电子学研究所	5	5	2.0	2.0
4	卜伟海	北京大学微电子学研究所	5	7	2.0	2.0