宽带隙立方氮化硼薄膜制备

• 作者: 严辉 王波 邓金祥 陈光华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方氮化硼 薄膜 射频溅射
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 66-68
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2\++4
• 字数: 1834字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.012

摘要

报道了用偏压调制射频溅射方法制备宽带隙立方氮化硼(c-BN)薄膜的实验结果.研究了衬底负偏压对制备c-BN薄膜的影响.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上，溅射靶为六角氮化硼（h-BN）,工作气体为Ar气和N2气混合而成，薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识.结果表明，在射频功率和衬底温度一定时，衬底负偏压是影响c-BN薄膜生长的重要参数.在衬底负偏压为-200V时得到了立方相含量在90%以上的c-BN薄膜.还给出了薄膜中的立方相含量随衬底负偏压的变化，并对c-BN薄膜的生长机制进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学应用物理系	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学应用物理系	80	638	11.0	23.0
3	陈光华	北京工业大学应用物理系	65	396	11.0	16.0
4	邓金祥	北京工业大学应用物理系	45	150	7.0	9.0