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摘要:
在硅基上通过氢氧焰淀积的SiO2,厚度达到了20μm;通过掺Ge增加芯层的折射率,折射率比小于1%,并可调;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀,刻蚀深度为6μm,刻蚀深宽比大于10;波导传输损耗小于0.6dB/cm(λ=1.55μm),并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究.另外,为实现光纤与波导的耦合,结合微电子机械系统技术,在波导基片上制作了光纤对准V形槽.
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文献信息
篇名 硅基SiO2光波导
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 二氧化硅 光波导 氢氧焰淀积 微电子机械系统
年,卷(期) 2001,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1546-1550
页数 5页 分类号 TN814+.7
字数 3234字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 梁春广 12 96 4.0 9.0
2 徐永青 5 78 3.0 5.0
3 杨拥军 4 85 3.0 4.0
4 赵彤 1 20 1.0 1.0
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光波导
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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