智能剥离SOI高温压力传感器

• 作者: 吴东平 李爱珍 沈绍群 王瑾 竺士炀 鲍敏杭 黄宜平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 压力传感器 低温键合 智能剥离 高温
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 924-928
• 页数: 5页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 3803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.022

摘要

采用改进的RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离SOI(Silicon On Insulator)材料,并用该材料成功地研制了双岛-梁-膜结构的SOI高温压力传感器.对SOI压力传感器的测量结果表明,当温度增加到150℃左右时,输出电压没有明显的变化,其工作温度高于一般的体硅压力传感器(其工作温度一般在120℃以下).测得所制备SOI压力传感器的灵敏度为63mV/(MPa*5V),比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约7倍多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄宜平	复旦大学电子工程系	39	270	10.0	14.0
2	李爱珍	复旦大学电子工程系	4	35	4.0	4.0
3	王瑾	复旦大学电子工程系	21	199	8.0	14.0
4	鲍敏杭	复旦大学电子工程系	11	72	6.0	8.0
5	沈绍群	复旦大学电子工程系	5	52	5.0	5.0
6	竺士炀	复旦大学电子工程系	8	59	4.0	7.0
7	吴东平	复旦大学电子工程系	5	56	4.0	5.0