MOCVD生长的InGaN合金的性质

• 作者: 卢励吾 王占国 闫华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD InGaN 光致发光(PL) 扫描电镜(SEM)
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 166-170
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.012

摘要

对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型InGaN样品进行了光致发光(PL)、霍耳(Hall)及扫描电镜(SEM)测量．结果表明:适当的生长温度(750℃)提高了样品中In的含量和PL强度。当Ⅴ/Ⅲ族比率大约5000时，750℃生长的样品背景载流子浓度约为2.21×1018cm-3,In含量约为11.54%．其室温394nm的带边峰,半高宽约为116meV,束缚能约为32.4meV,可能与束缚激子发光相关．该样品禁带宽度随温度变化的温度系数α(dE/dT)约为0.56×10-3eV/K．较高温度(800℃和900℃)生长的样品In含量较低,PL强度较弱,且在样品表面析出了金属In滴．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	101	701	15.0	23.0
2	卢励吾	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	5	5	2.0	2.0
3	闫华	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	2	0	0.0	0.0