注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应

• 作者: 任迪远 余学峰 张国强 韩德栋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 注F MOSFET 热载流子
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 618-621
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2214字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.017

摘要

通过对短沟NMOSFET的沟道热载流子效应研究，发现在短沟NMOSFET栅介质中引入F离子能明显抑制因沟道热载流子注入引起的阈电压正向漂移和跨导下降以及输出特性曲线的下移.分析讨论了F抑制沟道热载流子损伤的机理.Si—F键释放了Si/SiO2界面应力,并部分替换了Si—H弱键是抑制热载流子损伤的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
2	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0
3	韩德栋	中国科学院新疆物理研究所	6	12	2.0	3.0
4	余学峰	中国科学院新疆物理研究所	19	125	7.0	10.0