蒸发淀积Al和Teflon AF薄膜间的相互作用

• 作者: 丁士进 夏钟福 张卫 张台文 王季陶 王鹏飞
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al,Teflon AF,相互作用,X-射线光电子光谱
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 243-246
• 页数: 4页
• 分类号: TG115.22
• 字数: 1368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2001.03.005

摘要

通过X-射线光电子光谱(XPS),研究了蒸发淀积Al与Teflon AF薄膜间的相互作用.高分辨率Al2p,Ols,Cls和Fls XPS光谱分析表明在Al和Teflon AF界面处有AI的氟化物(AlxFy)以及C-O-Al有机化合物的形成.考虑到蒸发淀积Al前后,CF3基团降低和CF2基团增加,可以认为AlxFy中氟的来源主要是由于CF3基团中一个C-F键断裂而失去的氟原子,同时产生的CF2游离基和其它游离基间结合,导致界面处CF2基团增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王季陶	复旦大学电子工程系	24	155	7.0	11.0
2	王鹏飞	复旦大学电子工程系	15	50	5.0	6.0
3	张卫	复旦大学电子工程系	43	271	10.0	14.0