铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响

• 作者: 俞跃辉 叶春暖 吴雪梅 姚伟国 宁兆元 汤乃云 董业民 诸葛兰剑
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: 掺铝 硅基薄膜 电致发光
• 年，卷（期）: 2001,（16）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1342-1344
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 4006字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2001.16.005

摘要

采用双离子束共溅射技术,通过对由Al,Si和SiO2组成的复合靶的溅射制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO).其中铝和硅在薄膜中的含量可通过改变靶面上铝和硅所占的表面积来调节.在所有的样品中,在可见光范围均观察到仅有一个位于510 nm的电致发光(EL)谱峰.实验结果表明,在一定的工艺条件下适量的掺铝可明显地改善EL的启动电压及发光强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞跃辉	中国科学院上海冶金研究所	20	55	5.0	6.0
2	宁兆元	苏州大学物理系	70	528	12.0	18.0
3	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
4	诸葛兰剑	苏州大学物理系	59	199	8.0	11.0
5	汤乃云	苏州大学物理系	10	38	4.0	5.0
6	叶春暖	苏州大学物理系	11	54	4.0	6.0
7	姚伟国	苏州大学物理系	21	66	4.0	6.0
8	董业民	中国科学院上海冶金研究所	10	15	2.0	3.0