槽栅NMOSFET结构与性能仿真

• 作者: 任红霞 许冬岗 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅NMOSFET 结构参数 器件特性
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 234-240
• 页数: 7页
• 分类号: TN402
• 字数: 5157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.025

摘要

基于流体动力学能量输运模型，利用二维器件模拟器MEDICI对深亚微米槽栅NMOSFET器件的结构参数，如结深、凹槽拐角及沟道长度等对器件性能的影响进行了仿真研究，并与相应的常规平面器件特性进行了对比.研究表明在深亚微米范围内，槽栅器件能够很好地抑制短沟道效应和热载流子效应，但电流驱动能力较平面器件小，且器件性能受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0
3	许冬岗	西安电子科技大学微电子研究所	4	6	2.0	2.0