玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质

• 作者: 孙宝权 孙萍 李国华 江德生 王若桢 贾锐 韩和相
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdSeS 量子点 光致发光 退火
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 996-1001
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 3116字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.009

摘要

用两步退火法在掺CdSeS的玻璃中制备了高密度的量子点,均匀性较好.量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大,但组份基本不变.研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系,证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关.量子点尺寸越小,比表面积越大,该峰相对强度越大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾锐	中国科学院半导体研究所	29	160	6.0	11.0
2	王若桢	北京师范大学物理系	12	30	3.0	4.0
3	江德生	中国科学院半导体研究所	14	36	3.0	5.0
4	李国华	中国科学院半导体研究所	25	99	5.0	9.0
5	孙宝权	中国科学院半导体研究所	20	17	2.0	3.0
6	孙萍	北京师范大学物理系	40	204	9.0	12.0
7	韩和相	中国科学院半导体研究所	8	9	2.0	3.0