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摘要:
氧化钒薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用已成为国际上新颖功能材料研究的热点之一.本文综述了V2O5和VO2薄膜电学性能与薄膜组分和结构的相关性,比较了不同工艺制备的氧化钒薄膜的电学性能差异.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 氧化钒薄膜 相变 热电阻温度系数
年,卷(期) 2001,(6) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 572-575
页数 4页 分类号 TB43|O484.4
字数 5687字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.06.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林成鲁 中国科学院上海冶金研究所 44 595 15.0 23.0
2 李金华 江苏石油化工学院功能材料实验室 12 208 7.0 12.0
3 袁宁一 中国科学院上海冶金研究所 6 176 5.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
氧化钒薄膜
相变
热电阻温度系数
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
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