77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路

• 作者: 叶红飞 宁宝俊 张利春 张广勤 罗葵 莫邦燹 金海岩 高玉芝
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极器件 RCA晶体管 多晶硅发射区 液氮温度 ECL集成电路
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 页码范围: 1207-1211
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 2344字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.024

摘要

研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用自对准双极结构,生长一层RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益-温度依赖关系,而且还具有较快的工作速度.首次制备出多晶硅发射区RCA ECL静态二分频器在室温下其工作频率为1.1-1.2GHz,在液氮温度下能够正常工作,工作频率可达730MHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫邦燹	北京大学微电子学研究所	19	111	6.0	10.0
2	宁宝俊	北京大学微电子学研究所	15	100	5.0	9.0
3	张利春	北京大学微电子学研究所	18	48	4.0	5.0
4	张广勤	北京大学微电子学研究所	4	4	2.0	2.0
5	高玉芝	北京大学微电子学研究所	12	38	4.0	5.0
6	金海岩	北京大学微电子学研究所	12	32	4.0	5.0
7	叶红飞	北京大学微电子学研究所	8	29	3.0	5.0
8	罗葵	北京大学微电子学研究所	4	12	2.0	3.0