SOI NMOSFET沟道热载流子的应力损伤

• 作者: 张正幡 朱建纲 郝跃 郭林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SIMOX SOI PBT 热载流子 阈值电压
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 486-490
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.020

摘要

研究了沟道热载流子应力所引起的SOI NMOSFET的损伤．发现在中栅压应力（Vg≈Vd／2）和高栅压应力（Vg≈Vd）条件下，器件损伤表现出单一的幂律规律；而在低栅压应力（Vgs≈Vth）下，多特性的退化规律便会表现出来．同时，应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变．这使预测SOI器件的寿命变得非常困难．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	朱建纲	西安电子科技大学微电子研究所	5	13	3.0	3.0
3	郭林		2	5	1.0	2.0
4	张正幡		2	5	1.0	2.0