6H-SiC单极功率器件性能的温度关系

• 作者: 何进 张兴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体器件 6H-SiC 电离系数 雪崩击穿 比导通电阻 温度关系
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1235-1239
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 1159字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.002

摘要

基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性,利用有效电离系数的Fulop近似,推出了6H-SiC单极性功率器件击穿电压和比导通电阻的温度依赖性解析表达式.理论预言的击穿电压和临界电场与先前的实验结果基本一致(误差小于10%),验证了理论模型的适用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
2	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0