Al2O3陶瓷的氢致滞后断裂

• 作者: 乔利杰 史博 宿彦京 褚武扬
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: A12O3 封装器件 氢致开裂
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 页码范围: 932-934
• 页数: 3页
• 分类号: TB32|TN405
• 字数: 1967字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2001.09.008

摘要

Al2O3封装陶瓷在恒载荷下动态充氢能发生氢致滞后断裂,其门槛应力强度因子为KIH=0.71KIc(i=20 mA/cm2)及0.45KIc(i=400 mA/cm2).氢致开裂区全是沿晶断口,而空拉断口则是沿晶和解理构成的混合断口

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔利杰	北京科技大学材料物理系	139	834	15.0	21.0
2	褚武扬	北京科技大学材料物理系	135	889	17.0	22.0
3	宿彦京	北京科技大学材料物理系	53	346	9.0	17.0
4	史博	北京科技大学材料物理系	2	1	1.0	1.0