正向栅控二极管监测F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱

• 作者: 何进 张兴 黄如 黄爱华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: F-N应力效应 界面陷阱 R-G电流 栅控二极管 MOSFET/SOI
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 957-961
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 425字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.001

摘要

报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSFET栅控二极管结构．对于逐渐上升的累积应力时间，测量的栅控二极管电流显示出明显增加的R-G电流峰值．根据SRH理论的相关公式，抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加，指数为0.4.这一实验结果与文献先前报道的基本一致．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0
4	黄爱华	北京大学微电子学研究所	5	5	2.0	2.0