快速热退火对带有InGaAs盖层的InAs/GaAs量子点发光特性的影响

• 作者: 丁鼎 刘会云 徐波 梁基本 王占国 魏永强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaAs量子点 InGaAs盖层 快速热退火
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 684-688
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 432字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.002

摘要

系统地研究了快速热退火对带有3nmInxGa1-xAs(x＝0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的.但是,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分.实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用.另外,我们在较高的退火温度下观测到了InGaAs的发光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	92	929	15.0	27.0
2	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	101	701	15.0	23.0
3	魏永强	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	1	1	1.0	1.0
4	刘会云	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	2	1	1.0	1.0
5	丁鼎	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	2	10	1.0	2.0
6	梁基本	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	3	32	2.0	3.0