GSMBE-Grown InGaAs/InGaAsP Strained Quantum Well Lasers at 1.84 Micron Wavelength

• 作者: 张云妹 方祖捷 李爱珍 柏劲松 陈建新 陈高庭
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GSMBE 中红外波段 应变量子阱激光器
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 126-129
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4|TN405.984
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.004

摘要

报道了GSMBE方法生长波长1.84μm的InGaAs/InGaAsP/InP应变量子阱激光器．40μm条宽、800μm腔长的平面电极条形结构器件，室温下以脉冲方式激射，20℃下阈值电流密度为3.8kA／cm2，外微分量子效率为9.3%．