TFSOI RESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型

• 作者: 何进 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: TFSOI RESURF器件 表面电场分布 电势分布 击穿电压 优化设计
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 402-408
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 4202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.003

摘要

提出了TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型．根据二维泊松方程的求解，得到了表面电场和电势分布的相关解析表达式．在此基础上，推出了为获得最大击穿电压的优化条件。讨论了击穿电压和漂移区长度及临界掺杂浓度和场氧化层、埋氧化层的关系．解析结果与半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE得到的数值分析基本一致，证明了新解析模型的适用性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
4	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0