掺铟LiNbO3晶体抗光折变效应增强机理的研究

• 作者: 吉泽升 王彪 石连升
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: In:LiNbO3晶体 抗光折变能力 光斑变形法和全息法
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 97-99
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 2458字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2001.09.022

摘要

在LiNbO3中掺进不同浓度的抗光折变杂质离子In3+,生长In(2mol%):LiNbO3和In(3mol%):LiNbO3晶体.研究In:LiNbO3晶体的结构和In3+离子在LiNbO3晶体中的占位,利用光斑变形法和全息法测试了In:LiNbO3晶体的抗光折变性能,分析了In3+使LiNbO3晶体抗光折变效应增强的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吉泽升	哈尔滨理工大学现代成型技术研究所	74	991	16.0	29.0
2	石连升	哈尔滨理工大学现代成型技术研究所	23	103	5.0	9.0
3	王彪	哈尔滨理工大学现代成型技术研究所	2	3	1.0	1.0