纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究

• 作者: 刘俊刚 刘爽 宁永功 李昆 杨家德 陈艾
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 红外探测器 PtSi薄膜 纳米级 退火
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 415-416
• 页数: 2页
• 分类号: O484.41
• 字数: 1631字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.04.029

摘要

用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P-Si(100)上溅射的Pt膜,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性.通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法,制备出4nm连续薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘爽	电子科技大学信息材料工程学院	65	410	11.0	17.0
2	宁永功	电子科技大学信息材料工程学院	14	40	4.0	5.0
3	陈艾	电子科技大学信息材料工程学院	23	487	12.0	22.0
4	刘俊刚		8	114	3.0	8.0
5	杨家德		10	119	5.0	10.0
6	李昆		2	10	2.0	2.0