宽带隙半导体AlN薄膜的制备及应用

• 作者: 廖克俊 王万录
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 宽带隙半导体 应用
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 21-23
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.01.007

摘要

AlN是一种宽带隙半导体，它具有高温稳定性、高热导率、高弹性模量、非毒性，并且具有能从半导体到绝缘体的性质变化等优异的物理性质。本文主要介绍了AlN薄膜的制备方法和应用，也给出了今后有待进一步解决的问题。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王万录	重庆大学应用物理系	109	849	16.0	22.0
2	廖克俊	重庆大学应用物理系	66	513	12.0	19.0