精确预计Si BJT微波功率器件峰值结温的方法

• 作者: 张鸿欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 可靠性 热模拟 双极微波功率器件
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 646-651
• 页数: 6页
• 分类号: TN385
• 字数: 3531字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.022

摘要

三维全热程热电一体地模拟了Si BJT微波功率器件.热场计算包括从芯片的有源区经芯片-粘接层-基片-粘接层-底座直到固定于70℃的安装台面的整个散热过程.在处理热电正反馈时把有源区的60个基本单元(子胞)当成60个并联子胞晶体管进行建模，子胞模型包括子胞晶体管本身、基区横向扩展电阻、发射区横向扩展电阻.热电一体分析除了涉及Vbe随温度变化外，还有子胞发射极有效面积随子胞发射极电流上升而下降的效应（以下称面积效应）.与对有源区各点直接进行分析相比，子胞建模不仅大大简化了计算，而且摸拟结果与器件结构、版图结构、工艺参数关系清楚.模拟预计的热斑温度（204℃）与投片后三个样品的平均测量结果（197℃）在实验误差（10℃）内一致.模拟结果说明面积效应对抑制热电正反馈有重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鸿欣	西安电子科技大学CAD所	2	5	2.0	2.0