LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力

• 作者: 叶甜春 李兵 胥兴才 谢常青 赵玲莉 陈大鹏 韩敬东
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiNx膜 硅镶嵌微结构 内应力 LPCVD 镶嵌复合膜
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1529-1533
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.010

摘要

报道了在采用LPCVD法制备的富硅SiNx膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构.视生长条件和工艺不同,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等.利用不同条件下生长的SiNx膜的应力测试结果和透射电镜观测结果,分析了富硅型SiNx膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响,对富硅型SiNx膜的LPCVD生长工艺进行优化,大大降低了膜的张应力,无支撑成膜面积可达40mm×40mm.通过这一研究结果,实现了LPCVD可控制生长确定张应力的SiNx膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李兵	中国科学院微电子中心	79	708	16.0	24.0
2	叶甜春	中国科学院微电子中心	200	911	14.0	18.0
3	陈大鹏	中国科学院微电子中心	79	466	10.0	17.0
4	谢常青	中国科学院微电子中心	50	258	9.0	12.0
5	赵玲莉	中国科学院微电子中心	4	54	3.0	4.0
6	韩敬东	中国科学院微电子中心	5	45	2.0	5.0
7	胥兴才	中国科学院微电子中心	3	45	2.0	3.0