垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟

• 作者: 何力 张小平 方维政 杨建荣 魏彦锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdTe 垂直Bridgman方法 有限元法
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 853-859
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 5115字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.008

摘要

采用Galerkin有限元算法,计算了垂直Bridgman生长CdTe过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响.计算结果表明,较小的生长速率可以获得更为平坦的固液界面,适当增加结晶区域的温度梯度也是改善固液界面形状的一个有效方法.同时,通过对生长系统中的热流分析,表明在生长过程的中间阶段,热量交换主要集中在梯度区附近,而坩埚两端与外部环境的热量交换较少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏彦锋	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	22	117	6.0	9.0
2	杨建荣	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	38	175	7.0	11.0
3	何力	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	54	417	13.0	17.0
4	方维政	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	20	91	6.0	8.0
5	张小平	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心	19	86	6.0	8.0