短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型

• 作者: 万新恒 张兴 王阳元 甘学温 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI MOSFET 总剂量辐照效应 模型
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1154-1159
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4265字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.014

摘要

报道了一个含总剂量辐照效应的SOI MOSFET统一模型.该模型能自动计入体耗尽条件,不需要分类考虑不同膜厚时的情况.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于抗辐照SOI器件与电路的模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
4	甘学温	北京大学微电子学研究所	13	141	7.0	11.0
5	万新恒	北京大学微电子学研究所	5	32	4.0	5.0