GSMBE生长1.8-2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器

• 作者: 张云妹 张位在 方祖捷 李爱珍 柏劲松 陈建新 陈高庭
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GSMBE 中红外波段 应变量子阱激光器
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 40-46
• 页数: 7页
• 分类号: TN248.4|TN405.984
• 字数: 3897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.007

摘要

报道了气态分子束外延(GSMBE)生长1.8—2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器的研究结果．1.8μm波段采用平面电极条形结构，已制备成功10μm和80μm条宽器件，器件腔长500μm，室温下光致发光中心波长约为1.82μm，在77K温度下以脉冲方式激射，阈值电流分别约为250mA和600 mA，中心波长分别在1.69μm和1.73μm附近． 2.0μm波段，制备成功8μm宽脊波导结构器件，器件腔长500μm，室温光致发光中心波长约为1.98μm，77K温度下以脉冲方式激射，阈值电流约为 20mA，中心波长约为1.89μm，其电流限制和纵模限制效果优于平面电极条形结构器件．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李爱珍	中国科学院上海冶金研究所	52	397	10.0	16.0
2	陈建新	中国科学院上海冶金研究所	56	564	13.0	21.0
3	陈高庭	中国科学院上海光学与精密机械研究所	62	886	18.0	28.0
4	方祖捷	中国科学院上海光学与精密机械研究所	158	2256	27.0	39.0
5	柏劲松	中国科学院上海光学与精密机械研究所	2	10	2.0	2.0
6	张云妹	中国科学院上海光学与精密机械研究所	2	10	2.0	2.0
7	张位在	中国科学院上海光学与精密机械研究所	8	174	6.0	8.0