在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异

• 作者: 孙家龙 张泽 段晓峰 王占国 韩培德
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 极性 GaN MOVPE 微观结构
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1030-1034
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.016

摘要

运用金属有机气相外延设备，在蓝宝石衬底两个相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜．对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究．发现这两个薄膜有许多不同之处．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国		101	701	15.0	23.0
4	韩培德		35	127	6.0	9.0
16	孙家龙	天津市半导体技术研究所天津市理化分析中心	1	10	1.0	1.0