基于MOSFET比例差值特性的器件表征方法

• 作者: 王金延 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOS器件表征 比例差值 输出特性
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 340-344
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.019

摘要

利用比例差值方法给出了MOS器件的一种新特性——比例差值输出特性，该特性具有谱峰特征，其峰位、峰高与器件的特征参数相关．采用了一个分析模型来表征谱峰与器件特性参数关系，可以直接提取MOS器件特征参数．模型计算结果与实验数据保持了很好的一致性．实际测量中不同衬底条件和不同的比例差值常数对提取参数的影响也作了分析．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子所	52	102	5.0	7.0
3	王金延	北京大学微电子所	13	15	2.0	3.0