MOS器件的质子总剂量效应

• 作者: 何宝平 姜景和 张正选 彭宏论 王桂珍 罗尹红
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量效应 质子 Faraday筒 阈值电压 漏电流
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1468-1473
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3774字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.023

摘要

介绍了几种加固和非加固MOS电路的质子辐照总剂量效应实验,质子束的能量为9、7、5、2MeV.实验结果表明,在相同的吸收剂量下,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比.还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响,结果认为,对于NMOSFET,不论是加固器件,还是非加固器件,在+5V的栅压偏置下,器件的辐射损伤比0V栅压下的损伤严重,对于加固器件,辐射感生界面态的密度也较高;而加固型PMOSFET,在0V的栅压下,辐射损伤比-5V下严重,且界面态的密度高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	彭宏论		11	80	5.0	8.0
3	张正选		21	88	5.0	8.0
4	姜景和		18	78	6.0	7.0
5	王桂珍		32	156	7.0	9.0
6	罗尹红		1	0	0.0	0.0