高速单片数字相关器VLSI结构研究

• 作者: 吴一平 文治平 毕波
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: VLSI 数字相关 载波解调 本地码产生
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 设计与开发
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TN492
• 字数: 2243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.04.013

摘要

提出了一种高速单片数字相关器VLSI结构设计方法，结合扩频解扩芯片的实际需要，设计了包含16路数字相关器、集成规模达20万门的试验芯片，采用0.5μm三层金属CMOS工艺制造。测试表明，在3.3V工作电压和60MHz工作频率下，芯片的各项性能均达到设计要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毕波		3	16	2.0	3.0
2	文治平		9	52	5.0	7.0
3	吴一平		2	6	1.0	2.0