微波晶体管散射矩阵的数值计算

• 作者: 吴国华 李国辉 王晓慧 黄敞 齐臣杰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 散射矩阵 数值计算
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 460-464
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 3796字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.015

摘要

提出了一种计算半导体器件散射矩阵的方法，该方法采用数值分析技术，把描述有源半导体器件的泊松方程和电流连续性方程与描述输入输出匹配网络的电报方程联立求解，得到了晶体管端点电压和端点电流随时间的变化关系，根据电压电流值求出器件的散射矩阵.在设计微波单片集成电路(MMIC)时，可以同时对器件和输入输出匹配电路进行设计，缩短了研制周期.另外计算了SOI MOSFET微波器件的散射矩阵．结果表明，该方法与传统的参数提取方法相比，两者的结果基本一致．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴国华	浙江大学生命科学与医学工程系	6	15	2.0	3.0
2	王晓慧	清华大学微电子所	33	422	13.0	20.0
3	李国辉	北京师范大学低能核物理研究所	12	13	2.0	3.0
4	齐臣杰	清华大学微电子所	5	29	3.0	5.0
5	黄敞	北京师范大学低能核物理研究所	1	0	0.0	0.0