衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响

• 作者: 严辉 宋雪梅 张生俊 王波 邓金祥 陈光华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方氮化硼薄膜 衬底 热丝CVD 射频溅射
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 83-87
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.01.016

摘要

较系统地研究了不同衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响.用热丝增强射频等离子体CVD法，以NH3，B2H6和H2为反应气体，在Si,Ni,Co和不锈钢等衬底材料上，成功生长出高质量的立方氮化硼薄膜.还用13.56MHz的射频溅射系统将c-BN薄膜沉积在Si衬底上，靶材为h-BN(纯度99.99%)，溅射气体为氩气和氮气的混合气体，所得到的氮化硼薄膜中立方相含量高于90%.用X射线衍射谱和傅里叶变换红外谱对样品进行的分析表明，衬底材料与c-BN的晶格匹配情况，对于CVD生长立方氮化硼薄膜影响很大，而对溅射生长立方氮化硼薄膜影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料学院	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料学院	80	638	11.0	23.0
3	陈光华	北京工业大学材料学院	65	396	11.0	16.0
4	邓金祥	北京工业大学材料学院	45	150	7.0	9.0
5	宋雪梅	北京工业大学材料学院	44	498	11.0	21.0
6	张生俊	北京工业大学材料学院	7	43	4.0	6.0