MOSFET不同厚度薄栅老化中SILC的机制

• 作者: 卫建林 毛凌锋 王子欧 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应力感应漏电 栅氧化层
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 414-417
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.005

摘要

通过对栅电流和栅电压漂移的测量，证明了均匀FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布．不同厚度的栅氧化层产生SILC的机制不尽相同，薄栅以陷阱辅助隧穿为主，类Pool-Frankel机制在厚二氧化硅栅中起主导作用．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛凌锋	北京大学微电子学研究所	16	38	4.0	4.0
2	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
3	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
4	卫建林	北京大学微电子学研究所	7	19	3.0	4.0
5	王子欧	北京大学微电子学研究所	6	35	2.0	5.0