快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响

• 作者: 余金中 李成 杨沁清 王启明 王玉田 王红杰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si多量子阱 光电二极管 蓝移 热处理 扩散
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 695-699
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.+8
• 字数: 484字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.004

摘要

利用光电流谱,结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si1-xGex/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响.由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散,退火后的二极管的截止波长有显著的减小. 但是,在750-850℃范围内,波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢,而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强,这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李成	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	58	439	12.0	18.0
2	王玉田	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	13	28	3.0	5.0
3	王红杰	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	32	93	6.0	7.0
4	杨沁清	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	11	78	6.0	8.0
5	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
6	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	110	703	13.0	21.0