多晶硅后热退火引起SiO2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法

• 作者: 于芳 刘忠立 张兴 高文钰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅介质 性能退化 氮化 可靠性
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1002-1006
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.010

摘要

实验研究表明，多晶硅后的高温退火明显引起热SiO2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加．采用N2O氮化则可完全消除这些退化效应，而且氮化栅介质性能随着退火时间增加反而提高．分析认为，高温退火促使多晶硅内H扩散到SiO2内同Si—O应力键反应形成Si—H是多晶硅后SiO2栅介质可靠性退化的主要原因；氮化抑制退化效应是由于N“缝合”了SiO2体内的Si—O应力键缺陷．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
2	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
3	高文钰	北京大学微电子学研究所	6	20	2.0	4.0
4	于芳	中国科学院半导体研究所	28	112	6.0	9.0