LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器

• 作者: 张兴德 李忠辉 杨进华 王向武
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化合物气相外延 宽波导 分别限制 单量子阱 无铝激光器
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1557-1560
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 1655字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.016

摘要

介绍了无铝激光器的优点,利用LP-MOVPE生长出宽波导有源区无铝SCH-SQW结构激光器.该结构采用宽带隙InGaAlP作限制层,加宽的InGaP作波导层,增加对载流子和光子的限制作用,以克服有铝激光器易氧化和全无铝激光器载流子易泄漏的缺点.制作的条宽100μm、腔长1mm的激光器(腔面未镀膜),激射波长为831nm,室温连续输出光功率达1W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王向武	南京电子器件研究所新材料中心	11	24	2.0	4.0
2	李忠辉	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	11	44	4.0	6.0
3	杨进华	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	9	27	3.0	4.0
4	张兴德	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	21	81	5.0	8.0