GeSi Source/Drain Structure for Suppression of Short Channel Effect in SOI p-MOSFET's

• 作者: 卜伟海 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 短沟道效应 MOSFET SOI
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 121-125
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.003

摘要

提出在SOI p-MOSFET中采用GeSi源／漏结构，以抑制短沟道效应．研究了在源、漏或源与漏同时采用GeSi材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低(DIBL)效应的影响，并讨论了Ge含量及硅膜厚度变化对短沟道效应及相关器件性能的影响．研究表明Ge含量应在提高器件驱动电流及改善短沟道效应之间进行折中选择．对得到的结果文中给出了相应的物理解释．随着器件尺寸的不断缩小，GeSi源／漏结构不失为p沟MOS器件的一种良好选择。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0
2	王阳元	北京大学微电子所	78	1128	15.0	32.0
3	卜伟海	北京大学微电子所	5	7	2.0	2.0