掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究

• 作者: 何宇亮 刘湘娜 徐刚毅 眭云霞 鲍希茂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅薄膜 微结构 电子自旋共振
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 512-516
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.03.028

摘要

研究了掺杂纳米硅薄膜(nc-：Si：H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态。样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成，为两相结构，即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中。对掺磷的nc-Si：H样品，测量出其ESR信号的g值为1 9990—1.9991，线宽△Hpp为(40—42)×10-4T，ESR密度Nss为1017cm-3数量级。对掺硼的nc-Si：H样品，其ESR信号的g值为2.0076—2.0078，△Hpp约为18×10-4T，Nss为1016 cm-3数量级。结合有关这种薄膜的微结构及导电等特性分析，对上述ESR来源，其线宽及密度等进行了解释。认为掺磷的ESR信号来源于纳米晶粒/非晶本体界面处高密度缺陷态上的未配对电子，而掺硼的ESR信号来源于非晶本体中a-Si：H结缔组织的价带带尾态上的未配对电子。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘湘娜	南京大学物理系	1	3	1.0	1.0
2	何宇亮	南京大学物理系	11	78	5.0	8.0
3	鲍希茂	南京大学物理系	14	75	6.0	8.0
4	徐刚毅	中国科学院上海冶金研究所	9	33	3.0	5.0
5	眭云霞	南京大学现代分析中心	6	69	3.0	6.0