HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延

• 作者: 刘志农 林惠旺 罗广礼 贾宏勇 钱佩信 陈培毅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT HV/CVD
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 317-321
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2948字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.015

摘要

研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系．B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系；生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构，各层掺杂浓度均匀，过渡区约20nm，在整个外延层，Ge组分（x=0.20）均匀而稳定．PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降；P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值（约6×1018cm-3）．分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	林惠旺	清华大学微电子学研究所	18	150	8.0	11.0
3	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
4	贾宏勇	清华大学微电子学研究所	10	86	5.0	9.0
5	刘志农	清华大学微电子学研究所	8	63	5.0	7.0
6	罗广礼	清华大学微电子学研究所	8	57	5.0	7.0