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摘要:
提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型.在该模型基础上,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对二维表面场分布的影响.解析预言的场分布与击穿电压的计算结果与先前的数值分析基本符合.该模型为场板结构的优化设计提供了理论基础.
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文献信息
篇名 平面结场板结构表面场分布的二维解析
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 平面结 场板结构 电场分布 击穿电压
年,卷(期) 2001,(7) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 915-918
页数 4页 分类号 TN401
字数 2009字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄如 北京大学微电子学研究所 87 413 9.0 17.0
2 张兴 北京大学微电子学研究所 120 618 12.0 20.0
3 王阳元 北京大学微电子学研究所 78 1128 15.0 32.0
4 何进 北京大学微电子学研究所 24 84 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
平面结
场板结构
电场分布
击穿电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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