使用X射线衍射技术判定SiC单晶体的结构和极性

• 作者: 杨辉 梁骏吾 渠波 王玉田 郑新和
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC单晶 极性 6H结构 散射因子
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 35-39
• 页数: 6页
• 分类号: O766+.4
• 字数: 776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.006

摘要

使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性．SiC单晶体由化学气相淀积法获得．六方｛1015｝极图证明了该单晶结构为6H型．三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的Si终端面和C终端面，即极性面。两个面的一、二、三级衍射强度的测量比值与经过散射因子修正后计算的结构振幅平方比值｜F（000L）｜２／｜F（000L）｜２非常吻合．因此，利用极性面的衍射强度差异，可以方便、严格地判断具有类似结构如2H｛0001｝、4H｛0001｝及3C-SiC｛111｝的极性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所	179	2701	25.0	46.0
2	王玉田	中国科学院半导体研究所	13	28	3.0	5.0
3	郑新和	中国科学院半导体研究所	10	19	3.0	4.0
4	梁骏吾	中国科学院半导体研究所	13	393	4.0	13.0
5	渠波	中国科学院半导体研究所	6	17	3.0	4.0