深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对其抗热载流子效应和短沟道抑制作用的影舷

• 作者: 任红霞 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 槽栅PMOSFET 热载流子效应 短沟道效应 结构参数
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1298-1305
• 页数: 8页
• 分类号: TN386
• 字数: 5589字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.015

摘要

基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究.并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释.研究发现,随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高,器件的抗热载流子能力增强,阈值电压升高,对短沟道效应的抑制作用增强.而随着衬底掺杂浓度的提高,虽然器件的短沟道抑制能力增强,但抗热载流子性能降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0