3-6nm超薄SiO2栅介质的特性

• 作者: 张兴 张大成 王阳元 田大宇 高文钰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄栅介质 软击穿 完整性 漏电流
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 860-864
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2538字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.009

摘要

采用栅氧化前硅表面在H2SO4/H2O2中形成化学氧化层方法和氮气稀释氧化制备出3.2、4和6nm的SiO2超薄栅介质,并研究了其特性.实验结果表明,恒流应力下3.2和4nm栅介质发生软击穿现象.随着栅介质减薄,永久击穿电场强度增加,但恒流应力下软击穿电荷下降.软击穿后栅介质低场漏电流无规则增大.研究还表明,用软击穿电荷分布计算超薄栅介质有效缺陷密度比用永久击穿场强分布计算的要大.在探讨软击穿和永久击穿机理的基础上解释了实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
2	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
3	田大宇	北京大学微电子学研究所	12	46	5.0	6.0
4	张大成	北京大学微电子学研究所	43	793	13.0	27.0
5	高文钰	北京大学微电子学研究所	6	20	2.0	4.0