SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为

• 作者: 张兴 李映雪 王阳元 罗晏 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光谱 SIMOX SOI SIMS 残余氧
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1007-1010
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.95
• 字数: 1759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.011

摘要

利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火条件下处理的SIMOX材料的顶层硅膜．实验结果显示，SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰：它们是能量为1.10eV的a峰、能量为0.77eV的b峰和能量为0.75eV的c峰．与RBS谱相比，发现a峰峰高及b/a峰值比是衡量顶层硅膜单晶完整性的标度．谱峰b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧，起施主作用．SIMS测试结果显示，谱峰c来源于SIMOX材料顶层硅膜中的碳和氮．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子研究所	78	1128	15.0	32.0
4	李映雪	北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
8	罗晏	北京师范大学低能核物理研究所	2	1	1.0	1.0