基于IBIS模型的高速数字I／O缓冲器的瞬态行为建模

• 作者: 李征帆 毛军发 蔡兴建 陈建华
• 来源期刊: 上海交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 数字集成电路 IBIS模型 高速数字I/O缓冲器 瞬态行为模型 同步开关器件芯片互连
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN811
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-2467.2001.01.002

摘要

引入了一种基于最新版本的IBIS模型给出的信息构造高速数字I／O缓冲器的瞬态行为模 型的方法.阐述了从IBIS建模数据中得到这种瞬时状态转换行为模型的推导过程，同时获得了建 模所需要的充分条件．与相应的晶体管级模型相比，该方法在获得了更高仿真精度的同时，提高了 具有大量同步开关器件芯片互连的仿真速度．最后，为了验证模型的有效性，给出了该模型和晶体 管级模型(SPICE模型)模拟结果的比较．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李征帆	上海交通大学电子工程系	83	533	13.0	18.0
2	陈建华	上海交通大学电子工程系	77	339	10.0	16.0
3	毛军发	上海交通大学电子工程系	84	256	8.0	11.0
4	蔡兴建	上海交通大学电子工程系	8	62	4.0	7.0