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摘要:
提出了一种新的用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构.它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效,从而排除了测试时复杂的芯片-封装界面的影响.这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标,还可以用于研究VLSI电路中的同步开关噪声问题.该设计方法在新加坡特许半导体公司的0.6μm CMOS工艺线上进行了流片验证.测试结果表明,这一测试结构能有效地表征CMOS输出驱动器的电流变化率的性能指标和VLSI电路中的同步开关噪声特性.
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文献信息
篇名 用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的新电路
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 同步开关噪声 输出驱动器电流变化率 CMOS
年,卷(期) 2001,(8) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1075-1080
页数 6页 分类号 TN407
字数 4187字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭新伟 4 6 2.0 2.0
2 任俊彦 116 450 11.0 14.0
3 徐栋麟 7 60 5.0 7.0
4 徐志伟 9 126 4.0 9.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
同步开关噪声
输出驱动器电流变化率
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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