低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应

• 作者: 何宝平 刘传洋 刘家璐 姚育娟 张廷庆 彭宏论 徐娜军 王剑屏 黄智
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 低温 界面态
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2434-2438
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.12.028

摘要

对金属-氧化物-半导体(MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究.对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较.结果表明,低剂量率辐照下,感生界面态要受到辐照时间的长短以及生成的氢离子数目的影响,辐照时间越长,生成的氢离子越多,感生界面态密度越大;温度对界面态的影响与界面态建立的时间有关,低温辐照时,界面态建立的时间要加长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张廷庆	西安电子科技大学微电子学研究所	9	26	1.0	5.0
2	刘传洋	西安电子科技大学微电子学研究所	2	26	1.0	2.0
3	刘家璐	西安电子科技大学微电子学研究所	3	26	1.0	3.0
4	王剑屏	西安电子科技大学微电子学研究所	7	48	3.0	6.0
5	黄智	西安电子科技大学微电子学研究所	4	31	2.0	4.0
6	徐娜军		1	26	1.0	1.0
7	何宝平		46	291	9.0	13.0
8	彭宏论		11	80	5.0	8.0