其它材料

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化物 快速热退火 多晶硅栅 预处理 线接触 硅衬底 绝缘材料 双轴拉伸聚丙烯薄膜 聚合物 不规则
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 7-8
• 页数: 2页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2000-62562-64 0103565硅化物（含3篇文章）=Silicide[会,英]//Proceedings ofthe IEEE 2001 International Interconnect TechnologyConference.—62～72（ZC）本部分的3篇文章介绍了掺杂硅衬底上 PECVD-Ti 硅化物薄膜的不规则生长,0.15μm CMOS 器件采用快速热退火的钨多晶硅栅的反应势垒形成,以及亚0.2μm 金属位线接触的 PECVD-Ti 工艺中 TiCl₄预处理的作用。